二氧化硅支持膜二氧化硅支持膜是在200um厚的硅片上生長40、18或8nm厚二氧化硅膜，3mm氮化硅片上0.5 x 0.5mm窗口上的二氧化硅膜，膜厚分為40nm，18nm和8nm，孔徑大小/數(shù)量：40 nm時50 x 50µm / 24孔，18nm時60 x 60µm / 24孔，8nm時70 x 70µm / 24孔。表面粗糙度：RMS（Rq）為0.65nm，平均粗糙度（Ra）為0.41 nm。應(yīng)用領(lǐng)域：納米材料的沉積和生長。薄膜分析和表征。催化劑的研發(fā)。支持FIB薄片。半導體材料的表征。研究附著的生物分子。貨號21530-10到21532-10. 分類： 支持膜, 電鏡耗材

描述

二氧化硅支持膜是在200um厚的硅片上生長40、18或8nm厚二氧化硅膜，3mm氮化硅片上0.5 x 0.5mm窗口上的二氧化硅膜，膜厚分為40nm，18nm和8nm，孔徑大小/數(shù)量：40 nm時50 x 50µm / 24孔，18nm時60 x 60µm / 24孔，8nm時70 x 70µm / 24孔。表面粗糙度：RMS（Rq）為0.65nm，平均粗糙度（Ra）為0.41 nm。應(yīng)用領(lǐng)域：納米材料的沉積和生長。薄膜分析和表征。催化劑的研發(fā)。支持FIB薄片。半導體材料的表征。研究附著的生物分子。貨號21530-10到21532-10.