上海伯東日本 進口適合小規(guī)模量產使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 無污染, 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質譜監(jiān)測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
離子蝕刻機 10 IBE
上海伯東日本進口適合小規(guī)模量產使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 無污染, 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質譜監(jiān)測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
基板尺寸 | φ4 X 1wfr |
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樣品臺 | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 | |
離子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
均勻性 | ±5% for 4”Ф | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
伯東離子蝕刻機主要優(yōu)點
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發(fā)研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
離子蝕刻機 10IBE 組成：
離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
若您需要進一步的了解離子蝕刻機詳細信息, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 羅先生 中國臺灣伯東: 王小姐
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