| 英語、西班牙語、法語、德語、日語、中文、葡萄牙語、俄語和意大利語 |
| | LEMO 00 |
| | 機(jī)載100,000個(gè)ID碼 |
| | 單個(gè)鋰離子電池，可充電，標(biāo)準(zhǔn)型； 6小時(shí)操作時(shí)間 |
| | AC主電源：100 VAC ～ 120 VAC、200 VAC ～ 240 VAC，50 Hz ～ 60 Hz |
| | 全VGA（640 × 480像素）透反彩色LCD，60 Hz更新速率 |
| | 117 mm × 89 mm，146 mm（5.76英寸） |
| | 209 mm × 128 mm × 36 mm，抓握部分為58 mm |
| | 890克，包含鋰離子電池 |
（1個(gè)）USB 1.1全速主機(jī)端口（A型）
（1個(gè)）USB 2.0全速客戶端口（袖珍B型） |
| | 1個(gè)數(shù)字視頻輸出 |
| 根據(jù)IEC 60529-2004標(biāo)準(zhǔn)（外殼防護(hù)等級(jí)–IP規(guī)范），儀器設(shè)計(jì)符合侵入保護(hù)評級(jí)標(biāo)準(zhǔn)：IP67（防塵且可短時(shí)浸入水中）和IP65 （防塵且可經(jīng)受水噴）。 |
| | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測試。 |
| | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15 g，11 ms半弦波。 |
| | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測試，一般暴露：每軸1小時(shí)。 |
| | -10 °C ～ 50 °C |
| | 0 °C ～ 50 °C |
| 可調(diào)方波 |
| | 10 Hz ～ 2000 Hz，增量為10 Hz。 |
| | 100 V、200 V、300 V或400 V |
| | 25 ns ～ 5000 ns（0.1 MHz）范圍內(nèi)可調(diào)，利用PerfectSquare技術(shù) |
| | 50 Ω、400 Ω |
| 20 Vp |
| | 400 Ω ± 5% |
| | DC ～ 26.5 MHz，在?3 dB處（標(biāo)準(zhǔn)配置）
0.2 MHz ～ 26.5 MHz，在?3 dB處（符合EN12668的配置） |
| | 8個(gè)數(shù)字式濾波器設(shè)置（標(biāo)準(zhǔn)配置）
7個(gè)數(shù)字式濾波器設(shè)置（符合EN12668的配置） |
| | 全波、正半波、負(fù)半波、射頻波 |
| | 水平：±0.5% FSW |
| | 0.25% FSH，放大器精度為±1 dB |
| | 0 ～ 85% FSH，位置增量為1% |
| | 1.25% ～ 110%滿屏高 |
| | 在所有模式下，相當(dāng)于PRF（單次脈沖發(fā)射） |
聲速，零位偏移
垂直聲束（個(gè)底面回波或回波到回波）
角度聲束（聲程或深度） |
| | 脈沖回波、雙晶或穿透 |
| | 毫米、英寸或微秒 |
| | 4.31 mm ～ 6700 mm，5900 m/s |
| | 635 m/s ～ 15240 m/s |
| | 0 ～ 750 μs |
| | -10微秒 ～ 2203微秒 |
| | 0°～ 85°，增量為0.1°，然后跳到90° |
| 2個(gè)獨(dú)立的缺陷閘門 |
| | 在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變 |
| | 在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變 |
| | 在2 % ～ 95 %滿屏高范圍內(nèi)可變，增量為1 % |
| | 正閾值/曲線和負(fù)閾值/曲線，最小深度（閘門1和閘門2） |
| 5個(gè)位置（手動(dòng)或自動(dòng)選擇） |
| | 厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、最小/深度、最小/波幅、基于模式的定量測量 |
| | 用戶可以最多選擇任意一個(gè)閘門的4個(gè)測量讀數(shù)，并將它們顯示在實(shí)時(shí)屏幕上。 |
| | 標(biāo)準(zhǔn)閘門2 – 閘門1 |
| | 標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)50點(diǎn)，110 dB動(dòng)態(tài)TCG范圍 |
| | 自定義DAC（最多6條曲線），20 % ～ 80 %視圖 |
| | 用于角度聲束測量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正 |
