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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)是將脈沖激光透過(guò)合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設(shè)在對(duì)面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。

詳細(xì)信息 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)、激光分子束外延設(shè)備(L-MBE) 設(shè)備簡(jiǎn)介:

產(chǎn)地:美國(guó)NBM

 

脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)是將脈沖激光透過(guò)合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設(shè)在對(duì)面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。

 

我司PLD特點(diǎn):
我們PLD系統(tǒng)擁有很好的性能價(jià)比,具有以下優(yōu)異的性能:

  • 主真空室腔體直徑18英寸,本底真空可達(dá)高真空:9X10E-9 Torr(要用Load-lock)。

  • 主真空室抽氣系統(tǒng)前級(jí)泵采用無(wú)油干泵

  • ★基片加熱溫度高達(dá)1200℃

  • 基片臺(tái)可360度旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速1-20rpm可調(diào))。

  • ★基片與靶之間方位采用靶在下方,基片在上方,均水平放置?;c靶間距沿Z軸(即垂直地面方向)可調(diào)。

  • 6個(gè)裝靶的坩堝(或靶盤(pán)),各坩堝之間要求相互隔離,不互相污染。

  • ★激光器:Coherent 公司COMPexPro 201:Wavelength: 248 nm (KrF);Pulse Energy:700mJ;Max. Rep. Rate :10 Hz;Energy stability (one sigma) : 1%; Average Power: 5W;Pulse Duration: 25 ns;Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm;Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.

  • ★L(fēng)oad Lock System一套(裝樣-送樣系統(tǒng)一套),采用transferengineering公司(Transfer Engineering and Manufacturing, Inc)的,本底真空1×10-5Pa,帶相應(yīng)的分子泵。同一Load Lock系統(tǒng)既可以傳遞靶又可以傳遞基片,可兩者間切換操作。

  • 設(shè)備及光學(xué)臺(tái)可聯(lián)接在一起,始終保持腔體和激光束位置穩(wěn)定。支撐腿帶可調(diào)節(jié)的轉(zhuǎn)輪,方便在地面整體(包括腔體系統(tǒng)和激光器)同時(shí)移動(dòng)與固定。


具體配置:
 一, 超高真空腔體
 二, 分子泵
 三, 激光掃描系統(tǒng)
 四, 襯底加熱鉑金片,高達(dá)1200度
 五, 基板加熱構(gòu)造設(shè)計(jì)
 六, 基板加熱電源
 七, Rheed
 八, Rheed軟件
 九, 多靶位 ,標(biāo)準(zhǔn)配置6個(gè)1英寸靶
 十, Load-Lock樣品傳輸腔體

技術(shù)參數(shù):
1. 靶:數(shù)量6個(gè),大小1-2英寸,被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn),靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制。

2. 基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達(dá)1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn),工作環(huán)境大壓力是300mtorr。

3. 基板加熱電源。
4. 超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-7 pa。
5. 樣品傳輸室:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa。
6. 排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵,進(jìn)口。
7. 閥門(mén):采用超高真空擋板閥。
8. 真空檢測(cè):真空計(jì)采用進(jìn)口產(chǎn)品
9. 氣路兩套:采用氣體流量計(jì)(MFC)。
10. 薄膜成長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng):采用掃描型Rheed(可差分抽氣)。
11. 監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換。
12. 各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子。
13. 其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái),磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等。

 

感謝河南師范大學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 清華大學(xué)*材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京大學(xué)微電子系 華中科技大學(xué)材料學(xué)院 使用此研究級(jí)高性能的PLD系統(tǒng), 望我們高性能價(jià)格比的PLD為廣大科研人員提供幫助?。?/strong>



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