PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺設計*的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區(qū)域，超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。

       PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺設計*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設備能分析納米級特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710俄歇電子能譜儀可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
 

　　PHI710主要特點：
 

　　SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
 

　　歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖，深度剖析及元素分布像，需要先在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域，必然要求束斑直徑小且穩(wěn)定。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優(yōu)于3nm,AES的空間分辨率優(yōu)于8nm(@20kV,1nA)。
 

　　關于鑄鐵韌性斷裂的界面分析，左邊是SEM圖像，中間是鈣、鎂、鈦的俄歇成像，右邊則是硫的俄歇成像，這充分證明了PHI 710在納米級尺度下的化學態(tài)的分析能力。
 

　　同軸筒鏡分析器(CMA)
 

　　PHI 公司電子槍和分析器同軸的幾何設計，具有靈敏度高和視線無遮攔的特點，滿足了現(xiàn)實復雜樣品對俄歇分析全面表征能力的需求。所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個方向收集而來，成像沒有陰影。
 

　　俄歇能譜儀的化學態(tài)成像：
 

　　圖譜成像
 

　　高能量分辨率俄歇成分像
 

　　納米級的薄膜分析
 

　　SEM圖像中，以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷，這是由于退火后，在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設定了一個分析點，分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%)，電子束直徑20nm，離子槍采用0.5kV設定。在MultiPak軟件中，采取小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物，同樣區(qū)分金屬硅和硅化物。可以看出，硅鎳化合物僅存在于界面處，而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是，在鎳涂層的缺陷處，發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物。
 

　　l PHI SmartSoft-AES用戶界面：PHI SmartSoft是一個從用戶需求出發(fā)而設計的軟件。該軟件通過任務導向的方式指引用戶導入樣品，定義分析點，并設置分析條件，可以讓新手快速,方便地測試樣品，并且用戶可以很方便的重復之前的測量。
 

　　PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件：MultiPak軟件擁有全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析，線掃描分析，成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。軟件強大的功能包括譜峰的定位，化學態(tài)信息及檢測限的提取，定量測試和圖像的增強等。
 

　　l 選配件：
 

　　真空室內(nèi)原位樣品泊放臺；
 

　　原位脆斷；
 

　　真空傳送管；
 

　　預抽室導航相機；
 

　　電子能量色散探測器(EDS)；
 

　　電子背散射衍射探測器(EBSD)；
 

　　背散射電子探測器(BSE)；
 

　　聚焦離子束(FIB)；
 

　　l 應用領域：
 

　　•半導體器件：缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、界面擴    散現(xiàn)象分析、封裝問題分析、FIB器件分析等。
 

　　•顯示器組件：缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴    散現(xiàn)象分析等。
 

　　•磁性存儲器件：表面多層、表面元素、界面擴散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁    頭缺陷分析、殘余物分析等。