SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款可拓展型的ALD原子層沉積系統(tǒng)，可通過連接STR2000轉(zhuǎn)移單元，與退火設(shè)備SAN2000Plus，鍍膜設(shè)備，SVE2000Plus蒸鍍?cè)O(shè)備SSP2000Plus/SSP3000Plus磁控濺射設(shè)備搭配。

SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)

SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款可拓展型的ALD原子層沉積系統(tǒng)，可通過連接STR2000轉(zhuǎn)移單元，與退火設(shè)備SAN2000Plus，鍍膜設(shè)備，SVE2000Plus蒸鍍?cè)O(shè)備SSP2000Plus/SSP3000Plus磁控濺射設(shè)備搭配。

性能及特點(diǎn)：                            

1.鍍膜質(zhì)量高

· 膜厚均勻性≤3% @ 100mm

· 對(duì)于內(nèi)孔、凹槽與高深寬比結(jié)構(gòu)具有良好的沉積均勻性；

· 膜厚可準(zhǔn)確控制達(dá)一個(gè)原子層；

· 大面積制程可達(dá)到無孔洞薄膜（Pin Hole free）

· *的重復(fù)性及穩(wěn)定性

· 材料缺陷密度低

· 可成長非晶型或結(jié)晶薄膜（選擇溫度）

2.兩種成膜方向可選

· 可選擇將薄膜沉積在基底上表面和基底下表面，薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風(fēng)險(xiǎn)。

3. 可通過STR2000與其它Plus系列設(shè)備串聯(lián)

4.多可搭載6路前驅(qū)體

5.優(yōu)異的真空性能：真空度≤5Pa

6.圖形用戶界面，觸控操作，簡單易用，可存儲(chǔ)30多種鍍膜方案

7.與SAL3000相比，寬度減少了40％

6. 可搭配多種配件：

干式真空泵，臭氧發(fā)生器，尾氣處理裝置，800℃基底加熱器，200℃前驅(qū)體加熱器等，退火設(shè)備等；