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KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

來源: 伯東企業(yè)(上海)有限公司    2024年01月09日 11:04  

紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 實現(xiàn)可見光區(qū)(400nm-630nm)高透, 近紅外(700nm-1100nm)截止的光學(xué)濾光片, 主要應(yīng)用于可拍照手機攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域, 用于消除紅外光線對 CCD/CMOS 成像的影響. 通過在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感覺. 上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機加裝美國進口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

 

KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

 

1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設(shè)備, 配置美國 KRi 霍爾離子源 eH 3000

3. 測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測試

4. 鍍膜材料: Ti305+Si02

 

    結(jié)果表明采用上海伯東美國進口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過多次驗證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).  

 

 

    美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護.


霍爾離子源 eH 系列在售型號:

型號

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

eH Linear

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

陽極電壓

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

離子束流

5A

10A

10A

20A

根據(jù)實際應(yīng)用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根據(jù)實際應(yīng)用

本體高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根據(jù)實際應(yīng)用

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根據(jù)實際應(yīng)用

水冷

可選

可選

可選

根據(jù)實際應(yīng)用

 

   1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.


上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐   


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