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上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源  RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE  離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來(lái)刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.

離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRi  射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng), 滿足各種材料刻蝕需求!  氣體通入離子源的放電室中,  電離產(chǎn)生均勻的等離子體, 由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進(jìn)行中和. 利用引出的帶有一定動(dòng)能的離子束流撞擊樣品表面, 通過(guò)物理濺射將材料去除, 進(jìn)而獲得刻蝕圖形. 這一過(guò)程屬于純物理過(guò)程, 一般運(yùn)行在較高的真空度下.

IBE 類型設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)主要是等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間, 通過(guò)柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn), 并通過(guò)角度調(diào)整, 實(shí)現(xiàn)傾斜入射.


KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)
RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應(yīng)器, 中和器, 電源控制等
RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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