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射頻離子源 RFICP 220 伯東公司代理
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI射頻離子源RFICP220高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻.在離子束濺射工藝中,射頻離子源RFICP220配有離子光學元件,可以很好的控制離子束去濺射...
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伯東公司供應射頻離子源 RFICP 140
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI射頻離子源RFICP140是一款緊湊的有柵極離子源,非常適用于離子束濺射沉積,離子輔助沉積和離子束刻蝕.在離子束濺射工藝中，射頻離子源RFICP140配有離子光學元件,可...
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霍爾離子源 eH 3000 伯東公司代理
面議0簡介：尺寸:直徑=9.7“高=6”放電電壓/電流:50-300V/20A操作氣體:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有機前體
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射頻離子源 RFICP 100 伯東公司代理
面議0簡介：在離子刻蝕工藝中,離子源與離子光學配合,蝕刻更均勻.標準配置下RFICP100離子能量范圍100至1200ev,離子電流可以達到400mA.
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伯東公司供應射頻離子源 RFICP 40
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI射頻離子源RFICP40:目前KRI射頻離子源RFICP系列尺寸最小,低成本高效離子源.適用于集成在小型的真空腔體內(nèi).離子源RFICP40設計采用創(chuàng)新的柵極技術用于研發(fā)和...
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伯東公司供應 KRI 霍爾離子源 eH 2000
面議0簡介：尺寸:直徑=5.7“高=5.5”放電電壓/電流:50-300V/10A或15A操作氣體:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有機前體
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KRI 霍爾離子源 eH 1000 伯東公司代理
面議0簡介：尺寸:直徑=5.7“高=5.5”放電電壓/電流:50-300V/10A操作氣體:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有機前體
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伯東公司供應 KRI 考夫曼離子源 KDC 40
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC40:小型低成本直流柵極離子源.KDC40是3cm考夫曼型離子源升級款.具有更大的柵極,更堅固,可以配置自對準第三層柵極.離子源KDC40適用于所有的離...
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伯東公司供應 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC10:考夫曼型離子源Gridded系列最小型號的離子源.適用于集成在小型的真空設備中,例如預清洗,離子濺射,離子蝕刻.在1000eV低能量,通Ar氬氣時...
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KRI 考夫曼離子源 KDC 75 伯東公司代理
面議0簡介：上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC75:緊湊柵極離子源,離子束直徑14cm,可安裝在8“CF法蘭.適用于中小型腔內(nèi),考夫曼離子源KDC75包含2個陰極燈絲,其中一個作為備用,KDC75提...
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