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產(chǎn)品簡介：SE-Mapping光譜橢偏儀是一款可定制化Mapping繪制化測量光譜橢偏儀，采用行業(yè)前沿創(chuàng)新技術(shù)，配置全自動Mapping測量模塊，通過橢偏參數(shù)、 透射/反射率等參數(shù)的測量，快速實現(xiàn)薄膜全基片膜厚以及光學參數(shù)自定義繪制化測量表征分析。SE-Mapping光譜橢偏儀廣泛應(yīng)用OLED，LED，光伏，集成電路等工業(yè)應(yīng)用中,實現(xiàn)大尺寸全基片膜厚、光學常數(shù)以及膜厚分布快速測量與表征。
產(chǎn)品型號 | SE-Mapping光譜橢偏儀 | ||
主要特點 | 1、全基片橢偏繪制化測量解決方案 2、支持產(chǎn)品設(shè)計以及功能模塊定制化，一鍵繪制測量 3、配置Mapping模塊，全基片自定義多點定位測量能力 4、豐富的數(shù)據(jù)庫和幾何結(jié)構(gòu)模型庫，保證強大數(shù)據(jù)分析能力 5、采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm) 6、高精度旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制、PCRSA配置，實現(xiàn)Psi/Delta光譜數(shù)據(jù)高速采集 7、具備全基片自定義多點自動定位測量能力，提供全面膜厚檢測分析報告 8、數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、自動化程度：固定角+ mapping 2、應(yīng)用定位：檢測型 3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R等光譜 4、分析光譜：380-1000nm(可擴至193-2500nm) 5、單次測量時間：0.5-5s 6、重復性測量精度：0.01nm 7、光斑大?。捍蠊獍?-3mm,微光斑200um 8、入射角調(diào)節(jié)方式：固定角 9、入射角范圍：65° 10、找焦方式：手動找焦 11、Mapping1程：300x300mm 12、支持樣件尺寸：大至300mm | ||
可選配件 | 3 | 真空泵 |
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4 | 透射吸附組件 |
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