蔡司Sigma
擁有高品質(zhì)成像和顯微分析功能的FE-SEM
蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術(shù)與良好的用戶體驗于一體，助您輕松實(shí)現(xiàn)構(gòu)建成像和分析程序，同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測，或研究生物和地質(zhì)樣本。Sigma可實(shí)現(xiàn)高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計可執(zhí)行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。
使用Sigma系列，暢游納米分析世界。
產(chǎn)品優(yōu)勢
Sigma 360
分析測試平臺的理想之選，直觀的圖像采集
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從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，均提供專業(yè)向?qū)?，為您保駕護(hù)航，助您探索直觀成像工作流。
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可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對比度。
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可在條件下執(zhí)行可變壓力成像，獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。
對聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品室壓力60Pa。
可在條件下完成可變壓力成像
用于分析和成像的NanoVP lite模式
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新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
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這樣，就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強(qiáng)入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。
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aBSD1（環(huán)形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯(lián)電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
將多模式實(shí)驗與Connect Toolkit相結(jié)合，或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度
直觀成像工作流為您指引方向
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
增強(qiáng)的分辨率。優(yōu)化的襯度
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光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學(xué)鏡筒，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。
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Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差，1 kV時的分辨率已提升10%以上，可達(dá)1.3 nm。
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現(xiàn)在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求苛刻的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。
對聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品室壓力60Pa。
可在條件下完成可變壓力成像
用于分析和成像的NanoVP lite模式
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新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
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這樣，就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強(qiáng)入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。
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aBSD1（環(huán)形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯(lián)電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
將多模式實(shí)驗與Connect Toolkit相結(jié)合，或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度
直觀成像工作流為您指引方向
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了
Sigma 560
高通量分析，原位實(shí)驗自動化
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對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析：基于SEM的高速和通用分析。
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實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗自動化：無人值守測試的全集成實(shí)驗室。
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可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像：采集完整的樣品信息。
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
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在1 kV或甚至在500 V時實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器
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在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。
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正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀（強(qiáng)烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
氧化鋁球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像，可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。
對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析
EDS：通用、高速，助您深入研究
實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗自動化
無人值守測試的全集成實(shí)驗室
以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。
對要求苛刻的樣品能夠輕松成像
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
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在1 kV或甚至在500 V時實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器
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在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。
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正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀（強(qiáng)烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像，可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。
對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析
EDS：通用、高速，助您深入研究
技術(shù)
Gemini電子光學(xué)鏡筒橫截面示意圖，包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測器和Gemini物鏡。
Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)
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Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)由三個元件組成：物鏡、電子束推進(jìn)器和Inlens探測器。其中，物鏡的設(shè)計將靜電場與磁場相結(jié)合，大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時，降低了樣品受到的磁場影響。
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如此也可實(shí)現(xiàn)對磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測原理通過對二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測來確保高效的信號檢測，同時大幅縮短獲取圖像的時間。
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電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測器橫截面示意圖
以靈活的探測獲取清晰圖像
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Sigma配備了一系列不同的探測器，通過新探測技術(shù)對您的樣品進(jìn)行表征。
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使用ETSE和Inlens探測器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。
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使用VPSE或C2D探測器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。
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使用aSTEM探測器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。
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采用不同的可選BSE探測器，如aBSD探測器，可以深入研究樣品的成分和表面形貌。
標(biāo)準(zhǔn)VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。
NanoVP lite模式
采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量，更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。
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帶有五象限的可伸縮式的環(huán)形aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供低電壓下的高通量高襯度成分和表面形貌成像，適用于可變壓力和高真空條件。
可選附件
電鏡可選附件用于增強(qiáng)和拓展電子顯微鏡功能，具體產(chǎn)品涵蓋了從樣品制備到成像、分析等所有步驟的需求。應(yīng)用范圍包括材料科學(xué)、生命科學(xué)、地球物理學(xué)、電子學(xué)，能源科學(xué)等領(lǐng)域。
| 產(chǎn)品類別 | 產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品簡介 |
| 分析設(shè)備 | 能譜儀 | 檢測特征X射線能量，稱為能量色散譜儀（Energy Dispersive Spectroscopy），簡稱能譜儀（EDS）。主要是對材料微區(qū)化學(xué)成分進(jìn)行定性及定量分析，可以用于金屬、高分子、陶瓷、混凝土、生物、礦物、纖維等無機(jī)或有機(jī)固體材料分析等。例如：在掃描電鏡下可以結(jié)合夾雜物形態(tài)及成分進(jìn)行分析；固體材料的表面涂層、鍍層進(jìn)行分析；結(jié)合EBSD對未知材料進(jìn)行相鑒定等。 |
| 波譜儀 | 利用晶體衍射分光檢測感興趣的特征X射線波長，稱為波長色散譜儀(Wavelength Dispersive Spectroscopy)，簡稱波譜儀（WDS）。與能譜儀相比，波譜儀的能量分辨率更高，可以將能量非常接近的譜線區(qū)分開，同時具有更低的元素檢測限，可檢測元素含量至0.1‰。 |
| 背散射電子衍射探測器 | 電子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction，簡稱EBSD）技術(shù)，是基于掃描電鏡中電子束在傾斜樣品表面激發(fā)形成的衍射菊池帶的分析，從而確定晶體結(jié)構(gòu)、取向、晶界類型、微織構(gòu)組成及應(yīng)變分布等相關(guān)信息，是快速而準(zhǔn)確的獲得晶體取向信息的強(qiáng)有力的分析工具。EBSD技術(shù)可用于各種晶體材料——金屬、陶瓷、半導(dǎo)體、地質(zhì)、礦石的分析，結(jié)合形貌、能譜信息，可以解決其在形變、再結(jié)晶、相變、斷裂、腐蝕過程的問題。 |
| 加熱臺 | 掃描電鏡高溫加熱臺可以動態(tài)地觀察溫度變化時材料微觀組織、結(jié)構(gòu)的變化及失效分析，通入氣體可進(jìn)行高溫氣體反應(yīng)的觀察，結(jié)合EBSD可進(jìn)行不同溫度下原位EBSD實(shí)驗，用于觀察晶體材料的相變過程、再結(jié)晶形核及長大過程、晶界處的變化等。Gatan系列的加熱臺具有溫度精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、樣品座方便拆卸等優(yōu)點(diǎn)。被廣泛應(yīng)用于液晶檢測、半導(dǎo)體、高分子材料、流體包裹體、生物工程等眾多領(lǐng)域，在冶金材料領(lǐng)域，結(jié)合EBSD進(jìn)行再結(jié)晶及相變過程的觀察等。 |
| 冷凍臺 | 低溫氮?dú)庵评錁悠放_模塊，可安裝在現(xiàn)有的SEM 樣品臺上。廣泛應(yīng)用于：電子束敏感材料-如高分子、地質(zhì)樣品、低溫冷卻后可做微量分析；半導(dǎo)體材料及超導(dǎo)材料-研究低溫相及性能；陰極發(fā)光及EBIC應(yīng)用。
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